[发明专利]用于低温操作的金属磁性存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201980006684.7 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN111542490B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | Q.乐;Z.李;Z.白;P.冯德海杰登;M.霍 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/85;G11C11/16;G11C11/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MRAM装置包含自旋阀，其含有具有固定磁化方向的参考层、自由层，以及位于所述参考层和所述自由层之间的非磁性金属屏障层；金属辅助结构，其配置成在编程期间向所述自由层提供旋转自旋转移力矩来辅助所述自由层切换；以及第一非磁性金属间隔物层，其位于所述自由层和所述金属辅助结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 操作 金属 磁性 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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