[发明专利]非易失性存储器中的交错编程和验证有效

专利信息
申请号: 201980005979.2 申请日: 2019-02-19
公开(公告)号: CN111406291B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: X·杨;H-Y·曾;D·杜塔 申请(专利权)人: 闪迪技术有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/10;G11C7/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵志刚
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种电路,该电路包括编程控制器,该编程控制器被配置为利用交错编程‑验证回路来执行编程操作以对相同块中的存储器单元进行编程。在每个编程‑验证回路期间,控制栅极线电压供电电路首先向块的第一单元提供编程脉冲,然后在验证第一单元之前,向块的第二单元提供编程脉冲。在发送编程脉冲之后,控制栅极线供电电路连续地向第一单元和第二单元提供验证脉冲,使得在第一单元和第二单元的相应编程阶段和验证阶段之间引入延迟。另外,在连续验证阶段期间施加第一存储器单元和第二存储器单元的公共控制栅极线上的恒定电压偏置。此外,可在验证阶段期间以颠倒顺序施加验证脉冲的顺序。
搜索关键词: 非易失性存储器 中的 交错 编程 验证
【主权项】:
暂无信息
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