[发明专利]非易失性存储器中的交错编程和验证

权利要求书

1.一种电路，所述电路包括：

交错控制电路，所述交错控制电路被配置为确定使两个编程-验证回路交错的序列；

编程控制电路，所述编程控制电路被配置为：

在第一编程阶段期间根据所述序列向块的第一存储器单元施加第一编程脉冲；以及

根据所述序列在施加所述第一编程脉冲之后且在施加第一多个验证脉冲到所述块的第一存储器单元之前，在第二编程阶段期间向所述块的第二存储器单元施加第二编程脉冲；和

验证控制电路，所述验证控制电路被配置为在第一验证阶段期间根据所述序列向所述第一存储器单元施加所述第一多个验证脉冲；以及在施加所述第一多个验证脉冲之后，在第二验证阶段期间根据所述序列向所述第二存储器单元施加第二多个验证脉冲；

其中在所述第一验证阶段或第二验证阶段中的至少一个期间施加的所述第一多个验证脉冲或所述第二多个验证脉冲中的至少一个具有顺序降低的验证脉冲水平。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一验证阶段和所述第二验证阶段是连续验证阶段。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述验证控制电路被进一步配置为在所述第一验证阶段和所述第二验证阶段的持续时间内保持选定漏极选择栅极线上的漏极选择栅极线电压处于恒定水平。

4.根据权利要求1所述的电路，其中在所述第一验证阶段和第二验证阶段期间施加的所述第一多个验证脉冲和所述第二多个验证脉冲中的每个具有顺序降低的验证脉冲水平并且因此使得所述验证控制电路能够在所述第一验证阶段和所述第二验证阶段中的每一个期间以递减验证顺序检查所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的程序状态。

5.根据权利要求2所述的电路，其中所述验证控制电路被配置为在所述第一验证阶段和所述第二验证阶段期间以颠倒验证顺序施加多个验证脉冲序列。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述验证控制电路被配置为使得所述第一多个验证脉冲或第二多个验证脉冲中的仅一个具有顺序降低的验证脉冲水平，并且使得所述第一多个验证脉冲或第二多个验证脉冲中的另一个具有顺序增大的验证脉冲水平，因此使得所述验证控制电路在所述第一验证阶段或所述第二验证阶段中一个的期间以递增验证顺序检查所述第一存储器单元或所述第二存储器单元之一的程序状态，并且在所述第一验证阶段或所述第二验证阶段中的另一个期间以递减验证顺序检查所述第一存储器单元或所述第二存储器单元中另一个的程序状态。

7.根据权利要求2所述的电路，其中所述验证控制电路被配置为在所述第一验证阶段和所述第二验证阶段的持续时间内保持所述块的所有多个位线的位线电压处于选定位线水平。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元耦接到所述块的不同字线。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述不同字线包括第一字线和第二字线，所述编程控制电路被配置为在向所述第一字线施加所述第一编程脉冲期间向所述第二字线施加未选字线电压，并且在向所述第二字线施加所述第二编程脉冲期间向所述第一字线施加未选字线电压。

10.根据权利要求1所述的电路，其中在使两个编程-验证回路交错期间编程和验证脉冲被施加到的所述第一存储器单元和所述第二存储器单元各自耦接到所述块的相同字线。

11.根据权利要求10所述的电路，其中所述第一存储器单元属于所述块的第一子块，所述第二存储器单元属于所述块的第二子块，所述第一子块耦接到第一漏极选择栅极线且所述第二子块耦接到第二漏极选择栅极线，所述编程控制电路被配置为在施加所述第一编程脉冲期间向所述第一漏极选择栅极线施加选定漏极选择栅极线电压并向所述第二漏极选择栅极线施加未选漏极选择栅极线电压，并且在施加所述第二编程脉冲期间向所述第二漏极选择栅极线施加所述选定漏极选择栅极线电压并向所述第一漏极选择栅极线施加所述未选漏极选择栅极线电压。

12.一种装置，所述装置包括：

用于确定使两个编程-验证回路交错的序列的装置；

用于在第一编程阶段期间根据所述序列向块的第一存储器单元施加第一编程脉冲的装置；

用于在施加所述第一编程脉冲之后且在施加第一多个验证脉冲到所述块的第一存储器单元之前，在第二编程阶段期间根据所述序列向所述块的第二存储器单元施加第二编程脉冲的装置；

用于在施加所述第二编程脉冲之后在第一验证阶段期间根据所述序列向所述第一存储器单元施加所述第一多个验证脉冲的装置；以及

用于在施加所述第一多个验证脉冲之后，在第二验证阶段期间根据所述序列向所述块的第二存储器单元施加第二多个验证脉冲的装置；

其中在所述第一验证阶段或第二验证阶段中的至少一个期间施加的所述第一多个验证脉冲或所述第二多个验证脉冲中的至少一个具有顺序降低或增大的验证脉冲水平。