[发明专利]具有处理器和动态随机存取存储器的键合半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201980002072.0 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110770898A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;程卫华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/18;H01L21/60;H01L27/11;H01L27/108 |
| 代理公司： | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法的实施例。在一个示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构，第一半导体结构包括处理器、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列以及包括多个第一键合触点的第一键合层。所述半导体器件还包括第二半导体结构，第二半导体结构包括动态随机存取存储器(DRAM)单元的阵列以及包括多个第二键合触点的第二键合层。所述半导体器件还包括在第一键合层和第二键合层之间的键合界面。第一键合触点和第二键合触点在键合界面处接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 半导体器件 键合层 触点 键合 键合界面 动态随机存取存储器 静态随机存取存储器 处理器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一半导体结构，其包括处理器、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列、以及包括多个第一键合触点的第一键合层；/n第二半导体结构，其包括动态随机存取存储器(DRAM)单元的阵列以及包括多个第二键合触点的第二键合层；以及/n在所述第一键合层和所述第二键合层之间的键合界面，其中，所述第一键合触点与所述第二键合触点在所述键合界面处接触。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980002072.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
