[发明专利]具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201980001951.1 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110741474B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 夏正亮;黄攀;徐伟;严萍;霍宗亮;周文斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维(3D)存储器件包括衬底之上的存储器堆叠层。存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的多个沟道结构。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中延伸的源极结构。所述源极结构包括将该源极结构分成第一和第二区段的支撑结构。所述源极结构还包括粘合层。所述粘合层的至少一部分延伸穿过支撑结构并将第一和第二区段导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 粘合 连接 触点 三维 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n衬底之上的存储器堆叠层，所述存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层；/n在所述存储器堆叠层中竖直延伸的多个沟道结构；以及/n在所述存储器堆叠层中延伸的源极结构，其中，所述源极结构包括：/n支撑结构，将所述源极结构分成第一区段和第二区段；以及/n粘合层，其中，所述粘合层的至少一部分延伸穿过所述支撑结构并将所述第一区段和所述第二区段导电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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