[实用新型]半导体器件的元胞结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201922432209.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN211480039U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杜文芳 | 申请（专利权）人： | 南京芯舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 亓赢 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是一种半导体器件的元胞结构，所述元胞结构包括半导体衬底及其上方的外延层。外延层顶端设置多数个槽单元，槽单元底设置对应的载流子势垒区，槽内设置导电材料。源体区设置于相邻槽单元之间，源体区表面紧贴设置有一个以上的源区，其与源体区接触半导体衬底顶部的第一金属层。衬底与外延层之间，槽单元两侧下方设置有浮空区，通过半导体延伸接触外延层顶端的第二金属层。半导体衬底底部则设置第一半导体区及其接触的第三金属层。本申请通过减化槽设置数量与接地结构形成屏蔽区的设计，在保持功能的同时达到导通或空穴路径设计限定的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
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