[实用新型]一种硅片裂痕检测设备有效
| 申请号： | 201922415769.0 | 申请日： | 2019-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN211150522U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 郭新民;郭华明;史树伟;姜利国 | 申请（专利权）人： | 溧阳市腾新机电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 盛天亮 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种硅片裂痕检测设备，包括若干第一传送带装置及测量结构，其特征在于：还包括第二传送带装置，若干所述第二传送带装置位于两个所述第一传送带装置之间，若干测量结构位于两个所述第一传送带装置之间，且每两个所述第一传送带装置之间的若干所述测量结构间隔设置，若干所述第一传送带装置与若干所述第二传送带装置的运动方向相同，且所述第一传送带装置的运动速度是所述第二传送带装置运行速度的2‑3倍。本实用新型涉及硅片检测设备的技术领域。本实用新型具有提高检测设备精准性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 裂痕 检测 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
