[实用新型]一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件

摘要

本实用新型提供了一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlmGa1‑mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型AlnGa1‑nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。紫外发光器件能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光二极管的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。