[实用新型]具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构

摘要

本实用新型涉及一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、元胞沟槽、栅氧化层、屏蔽栅槽、屏蔽栅、第一间隔氧化层、栅极槽、栅氧化层、栅极导电多晶硅、终端沟槽、场氧化层、下层终端场板槽、下层终端场板、第二间隔氧化层、上层终端场板槽、上层终端场板、第二导电类型体区、第一导电类型源极区、终端场氧化层条块、绝缘介质层、源极金属柱与源极金属层。本实用新型可进一步降低输入和输出电容，减少器件开关损失，可以优化终端环设计，分散终端环的电场分布；本实用新型的器件具有更低的导通电阻、具有更低的输入、输出寄生电容值、更好的终端电场分布、更小的终端环设计和更好的器件可靠性能。