[实用新型]一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路

摘要

本发明提供一种基于短路电流抑制的SiC MOSFET短路保护电路，包括：逻辑单元、驱动单元、短路保护单元、VDS检测单元以及VG检测单元，本发明采用降低栅极电压VG的方法抑制短路电流，从而降低短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。当SiC MOSFET发生一类短路时，漏极电压VDS将不会下降至导通压降，本发明通过判断漏极电压VDS是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，使栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级；当SiC MOSFET发生二类短路时，栅极电压VG将会发生突变，形成电压尖峰，本发明通过判断导通状态时栅极电压VG是否出现电压尖峰来选择导通状态的栅极驱动电压，可在短路时将栅极电压VG钳位在较低的驱动电压等级。