[实用新型]一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件有效
| 申请号： | 201921823837.0 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN210073863U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 50213 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 霍维英 |
| 地址： | 401520 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS‑HEMT器件，包括：位于Al | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 帽层 本实用新型 栅极氧化层 缓冲结构 过渡层 多层 漏极 源极 沟道载流子 灵活调整 驱动电流 异质金属 栅极结构 阈值电压 迁移率 增强型 衬底 沟道 异质 穿过 恶化 | ||
【主权项】：
1.一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，其特征在于，包括：/n位于Al
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