[实用新型]一种石墨盘及沉积装置有效
申请号: | 201921724616.8 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN211284533U | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 林忠宝;彭伟伦;李明照 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型提供一种石墨盘及沉积装置。本实用新型的石墨盘通过增加每个晶圆凹槽中的突起数量和/或增设与外延晶圆片接触面积大于普通突起的大面积突起,增加了晶圆片与突起的接触面积,同时还通过调整各个突起在晶圆凹槽中的分布位置,共同增大晶圆片旋转时所受的摩擦力,提高晶圆凹槽对外延晶圆片所受离心力的控制,减小其偏移,避免因偏移造成晶圆片与突起之间接触面积变化而引起的温度差异的增大,保证晶圆片生长质量,提升良率。在此基础上,本实用新型还对现有石墨盘的晶圆凹槽进行了重新排序设计,将晶圆凹槽向远离盘面中心的方向进行不同程度的移动,从而增加晶圆凹槽数量,使石墨盘空间利用率上升,有效提升了其单个生产周期中的产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 沉积 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的