[实用新型]图像传感器的半导体结构、芯片及电子装置有效
申请号: | 201921650250.4 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN209729909U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 陈经纬 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N9/04 |
代理公司: | 11592 北京天驰君泰律师事务所 | 代理人: | 孟锐<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种图像传感器的半导体结构及相关芯片和电子装置。半导体结构包括半导体衬底和设置于半导体衬底的若干个像素组,每个像素组包括:位于同一行且相邻的第一像素及第二像素,位于另一行且相邻的第三像素及第四像素,第一像素及第三像素为对角错位设置,每个像素各自均包括四个子像素,每个像素里的四个子像素共用浮置扩散区且浮置扩散区被四个子像素的光敏传感器包围,第一像素和第三像素的输出电路共享,第一像素和第三像素共享的输出电路位于第一像素及第三像素之间且延伸至第一像素的左侧/右侧和第三像素的右侧/左侧,本申请可提高图像传感器的图像质量并改善输出电路的效能。 | ||
搜索关键词: | 像素 输出电路 半导体结构 浮置扩散区 图像传感器 像素组 衬底 半导体 光敏传感器 对角 错位设置 电子装置 像素共享 像素共用 申请 包围 图像 芯片 共享 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器的半导体结构,其特征在于:/n所述图像传感器的半导体结构包括:半导体衬底和设置于所述半导体衬底的若干个像素组,每个像素组包括:位于同一行且相邻的第一像素及第二像素,位于另一行且相邻的第三像素及第四像素,所述第一像素及第三像素为对角错位设置且第一像素及第三像素均为绿色像素;/n所述第一像素、第二像素、第三像素及第四像素各自均包括四个按照两行两列排列的子像素,每个像素里的四个子像素共用浮置扩散区且所述浮置扩散区被所述四个子像素的光敏传感器包围,所述光敏传感器用来将光线转换为电荷;/n所述第一像素和所述第三像素的输出电路共享,所述第一像素和所述第三像素共享的所述输出电路位于所述第一像素及第三像素之间且延伸至所述第一像素的左侧/右侧和所述第三像素的右侧/左侧,所述输出电路的一部分相邻所述第一像素的光敏传感器,所述输出电路的另一部分相邻所述第三像素的光敏传感器,所述输出电路用来依据所述电荷产生像素输出,所述输出电路包括第一源跟随晶体管;/n其中,从俯视图来看,所述第一源跟随晶体管跨越所述第一像素及第三像素的分界并至少延伸至与所述第一像素的左侧/右侧的光敏传感器相邻,且至少延伸至与所述第三像素的右侧/左侧的光敏传感器相邻。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的