[实用新型]一种氮化镓外延层及半导体器件有效
| 申请号： | 201921606996.5 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN210866191U | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层。本实用新型解决了半导体器件反向漏电大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
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