[实用新型]一种氮化镓外延层及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：

半导体衬底；

第一缓冲层，其设置在所述半导体衬底上；

第二缓冲层，其设置在所述第一缓冲层远离所述半导体衬底的一侧；

第三缓冲层，其设置在所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的一侧；

势垒层，其设置在所述第三缓冲层远离所述第二缓冲层的一侧；

钝化层，其设置在所述势垒层远离所述第三缓冲层的一侧；

第一阳极，其贯穿所述钝化层且伸入所述势垒层；

介质层，其设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极与所述势垒层之间；

第二阳极，其贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层；

阴极，其设置在所述介质层上且贯穿所述介质层和所述钝化层；

保护层，其设置在所述第一阳极、所述第二阳极、所述阴极与所述介质层上；

阳极导通金属，设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阳极导通金属与所述第一阳极、所述第二阳极连接；

阴极导通金属，设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阴极导通金属与所述阴极连接；

场板层，其设置在所述保护层上，所述场板层与所述阳极导通金属连接，其中所述阳极导通金属、所述阴极导通金属和所述场板层同步形成。

2.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第一阳极接触孔，所述第一阳极接触孔贯穿所述钝化层且伸入所述势垒层，所述第一阳极设置在所述第一阳极接触孔内。

3.根据权利要求2所述一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二阳极接触孔，所述第二阳极接触孔贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层，所述第二阳极设置在所述第二阳极接触孔内。

4.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一缓冲层为氮化铝。

5.根据权利要求3所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一阳极与所述第二阳极，包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层设置在所述介质层远离钝化层的一侧、以及延伸至所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔内以覆盖位于所述第一阳极接触孔底部的所述介质层和所述第二阳极接触孔底部，所述第二金属层设置在所述第一金属层上且填充所述第一阳极接触孔和所述第二阳极接触孔。

6.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括阴极接触孔，所述阴极接触孔贯穿所述介质层和所述钝化层，所述阴极设置在所述阴极接触孔内。

7.根据权利要求1所述一种半导体器件，其特征在于，所述第一阳极和第二阳极由层叠的第一数量金属层构成，所述阴极由层叠的第二数量金属层构成，且所述第一数量大于所述第二数量。

8.一种氮化镓外延层，其特征在于，其包括：

半导体衬底；

第一缓冲层，其设置在所述半导体衬底上；

第二缓冲层，其设置在所述第一缓冲层远离所述半导体衬底的一侧；

第三缓冲层，其设置在所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的一侧；

势垒层，其设置在所述第三缓冲层远离所述第二缓冲层的一侧。

9.根据权利要求8所述一种氮化镓外延层，其特征在于，所述第一缓冲层为氮化铝。

10.根据权利要求8所述一种氮化镓外延层，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为10nm-300nm。