[实用新型]平面结构的GCT芯片有效
| 申请号： | 201921566314.2 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN210926024U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵彪;刘佳鹏;周文鹏;曾嵘;余占清;陈政宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平面结构的GCT芯片，包括引出阳极的P+发射极、与P+发射极贴合的n+缓冲层、与n+缓冲层相贴合的n漂移区，GCT芯片结构还包括：第一P+区域、第二P+区域及n+发射极，第一P+区域与n漂移区相贴合；第二P+区域与第一P+区域相贴合；n+发射极与第二P+区域连接，n+发射极引出阴极，第二P+区域引出门极，阴极与门极具有高度差，高度差的范围为0‑10μm。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 结构 gct 芯片 | ||
【主权项】：
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