[实用新型]平面结构的GCT芯片有效
| 申请号： | 201921566314.2 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN210926024U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵彪;刘佳鹏;周文鹏;曾嵘;余占清;陈政宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 结构 gct 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种平面结构的GCT芯片，包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的n漂移区，其特征在于，所述GCT芯片结构还包括：
第一P+区域，与所述n漂移区相贴合；
第二P+区域，与所述第一P+区域相贴合；以及
n+发射极，与所述第二P+区域连接，所述n+发射极引出阴极，所述第二P+区域引出门极，所述阴极与所述门极具有高度差，所述高度差的范围为0-10μm。
2.如权利要求1所述的GCT芯片，其特征在于，还包括p基区，所述p基区与所述n漂移区相贴合且位于所述第一P+区域及所述n漂移区之间，所述第一P+区域与所述p基区相贴合。
3.如权利要求1所述的GCT芯片，其特征在于，所述第二P+区域的厚度与所述n+发射极的厚度相同。
4.如权利要求1-3中任一项所述的GCT芯片，其特征在于，所述第一P+区域与所述n漂移区的连接处具有波浪形状。
5.如权利要求1所述的GCT芯片，其特征在于，所述阴极与所述门极位于同一平面。
6.如权利要求4所述的GCT芯片，其特征在于，所述波浪形结构的中间平面向所述第一P+区域凸起，凸起的高度为小于40μm。
7.如权利要求1所述的GCT芯片，其特征在于，所述第二P+区域的厚度为1-30μm。
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