[实用新型]一种减少硅片划痕的吸盘有效
| 申请号： | 201921450509.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN210167340U | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 施鲁鸣;吕群峰 | 申请（专利权）人： | 嘉兴市耐思威精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 于刚 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及硅片上下料技术领域，具体是一种减少硅片划痕的吸盘，包括吸盘本体，所述吸盘本体顶端设置有凸台，所述凸台上设置有若干安装孔，所述凸台底部设置有盖板，所述盖板内侧设置有吸附机构，所述盖板左侧设置有工作面，本实用新型，通过使工作面与凸台左端共面，使工作面的加工变得更加简单，大大提高了工作面的平整度和粗糙度，保证了装置所吸附硅片的品质，通过设置吸附机构，可以将硅片牢牢吸附在工作面上，密封性好，不会出现漏气现象，不会影响吸盘的吸力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 硅片 划痕 吸盘 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴市耐思威精密机械有限公司，未经嘉兴市耐思威精密机械有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921450509.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
