[实用新型]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 201921417119.3 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN210272369U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，包括半导体基板，半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，其中，半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面设置有第二导电类型体区；位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽，第一类沟槽的沟槽底部伸入第一类导电类型外延层内；位于终端保护区的第二导电类型体区内靠近元胞区的位置设置有至少一根第二类沟槽；第二类沟槽的沟槽深度小于第一类沟槽的沟槽深度，第二类沟槽的沟槽开口宽度小于第一类沟槽的沟槽开口宽度。本实用新型提供的功率半导体器件提升了功率半导体器件的耐压可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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