[实用新型]一种功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括半导体基板，所述半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，所述元胞区位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区位于所述元胞区的外圈且环绕所述元胞区设置，其特征在于，所述半导体基板包括第一导电类型衬底和位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的表面设置有第二导电类型体区；

位于所述元胞区的所述第二导电类型体区内设置有第一类沟槽，所述第一类沟槽的沟槽底部伸入所述第一导电类型外延层内；

位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内靠近所述元胞区的位置设置有至少一根第二类沟槽；

所述第二类沟槽的沟槽深度小于所述第一类沟槽的沟槽深度，所述第二类沟槽的沟槽开口宽度小于所述第一类沟槽的沟槽开口宽度。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内设置有至少一根第三类沟槽，所述第三类沟槽环绕所述第二类沟槽设置；

所述第三类沟槽的沟槽深度不小于所述第一类沟槽的沟槽深度，所述第三类沟槽的沟槽开口宽度不小于所述第一类沟槽的沟槽开口宽度。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一类沟槽、第二类沟槽和第三类沟槽的内壁上均形成有栅氧层，所述第一类沟槽、第二类沟槽和第三类沟槽内均设置有导电多晶硅，所述第一类沟槽内的导电多晶硅连接栅极电位，所述第二类沟槽和所述第三类沟槽内的导电多晶硅均浮空设置。

4.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内设置有3根所述第二类沟槽和3根所述第三类沟槽。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内设置有至少一根终端沟槽，所述终端沟槽环绕所述第二类沟槽设置；

所述终端沟槽的沟槽深度和沟槽开口宽度均与所述第一类沟槽相同。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述终端保护区的所述第二导电类型体区内设置有3根所述第二类沟槽和4根所述终端沟槽。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的功率半导体器件，其特征在于，位于所述元胞区的所述第二导电类型体区的表面设置有第一导电类型源区，位于所述元胞区以及所述终端保护区的所述第二导电类型体区的表面均设置有绝缘介质层，位于所述元胞区的绝缘介质层表面设置有源极金属，位于所述终端保护区的绝缘介质层表面设置有栅极总线金属，所述源极金属通过所述绝缘介质层上的通孔与所述第二导电类型体区以及所述第一导电类型源区接触。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括N型功率半导体器件和P型功率半导体器件，当所述功率半导体器件为所述N型功率半导体器件时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，当所述功率半导体器件为所述P型半导体器件时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。