[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201921324044.4 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN210073906U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;林兓兓;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，尤其涉及半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。本实用新型设置P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层，其中AlInGaN层由于In元素的加入，其功函数与金属或金属氧化物的功函数更接近，可以降低接触电阻,提高电洞注入效率；同时由于AlGaN层较AlInGaN层的能阶更高，可以有效加速电洞从P型接触层向发光层流动，提升电子电洞复合机率,提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 发光层 功函数 电洞 金属或金属氧化物 半导体发光元件 降低接触电阻 半导体领域 电子阻挡层 电性连接 电子电洞 发光效率 复合机率 依次层叠 有效加速 注入效率 缓冲层 衬底 能阶 流动 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。/n
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