[实用新型]一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极有效
| 申请号： | 201921319011.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN213304145U | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王洪;李先辉;周泉斌;高升 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极，所述电极为在GaN基HEMT的外延层上表面的两侧从下到上依次排布的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层X、第四金属层Ti和帽层金属层TiN，其中X为Ni、Ni/Ti/Ni或Ni/Ti/Ni/Ti/Ni多层金属中的一种以上。本实用新型避免了高温制备帽层金属层TiN过程，降低了工艺温度和工艺复杂程度，简化了工艺流程，同时低温提升了工艺的兼容性，有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 欧姆 接触 电极 | ||
【主权项】：
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