[实用新型]一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极有效
| 申请号： | 201921319011.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN213304145U | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王洪;李先辉;周泉斌;高升 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 欧姆 接触 电极 | ||
1.GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，所述电极为在GaN基HEMT的外延层上表面的两侧从下到上依次排布的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层X、第四金属层Ti和帽层金属层TiN，其中第三金属层X为Ni层，或第三金属层X为Ni/Ti/Ni多层金属，或第三金属层X为Ni/Ti/Ni/Ti/Ni多层金属。
2.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第一金属层Ti的厚度为1～30nm。
3.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第二金属层Al的厚度为40～200nm。
4.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第三金属层X的厚度为5～30nm。
5.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第四金属层Ti的厚度为60～120nm。
6.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，帽层金属层TiN的厚度为10～40nm。
7.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第一金属层Ti的厚度为20nm，第二金属层Al的厚度为60nm，第三金属层X的厚度为10nm，第四金属层Ti的厚度为80nm，帽层金属层TiN的厚度为20nm。
8.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第一金属层Ti的厚度为20nm，第二金属层Al的厚度为100nm，第三金属层X的厚度为10nm，第四金属层Ti的厚度为70nm，帽层金属层TiN的厚度为20nm。
9.根据权利要求1所述的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，第一金属层Ti的厚度为3nm，第二金属层Al的厚度为150nm，第三金属层X的厚度为10nm，第四金属层Ti的厚度为100nm，帽层金属层TiN的厚度为30nm。
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