[实用新型]一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置有效
| 申请号： | 201921215453.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210110711U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 孔德谋 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及二氧化硅薄膜的测量技术领域，提供了一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，包括用于安置待测的第一层二氧化硅薄膜的安置结构以及用于测量待测的第一层二氧化硅薄膜的测量组件，安置结构包括基底、第一层金属电容板以及第二层金属电容板，待测的第一层二氧化硅薄膜设于第一层金属电容板和第二层金属电容板之间，第一层金属电容板设于基底上，测量组件的两个测量端分别连接在第一层金属电容板和第二层金属电容板上。本实用新型的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，通过安置结构来安置待测的第一层二氧化硅薄膜，然后通过测量组件来测量待测的第一层二氧化硅薄膜，可测量二氧化硅薄膜的介电常数和介电强度，控制成膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 二氧化硅 薄膜 性能 测量 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
