[实用新型]一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置

说明书

本实用新型涉及二氧化硅薄膜的测量技术领域，提供了一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，包括用于安置待测的第一层二氧化硅薄膜的安置结构以及用于测量待测的第一层二氧化硅薄膜的测量组件，安置结构包括基底、第一层金属电容板以及第二层金属电容板，待测的第一层二氧化硅薄膜设于第一层金属电容板和第二层金属电容板之间，第一层金属电容板设于基底上，测量组件的两个测量端分别连接在第一层金属电容板和第二层金属电容板上。本实用新型的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，通过安置结构来安置待测的第一层二氧化硅薄膜，然后通过测量组件来测量待测的第一层二氧化硅薄膜，可测量二氧化硅薄膜的介电常数和介电强度，控制成膜质量。

技术领域

本实用新型涉及二氧化硅薄膜的测量技术领域，具体为一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置。

背景技术

在芯片制造过程中，大量使用二氧化硅薄膜做绝缘层，常见的二氧化硅薄膜生长设备如：PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子体增强化学气相沉积法)。

但由于反应温度、反应气体流量、反应气体比例、腔体压力、辉光功率等参数不同，导致二氧化硅薄膜的物理、电学性能存在差异。差的成膜质量会给后续使用带来漏电风险，极大的威胁产品的可靠性，而芯片的最终测试很难将其全部剔除。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，可以测量二氧化硅薄膜的介电常数和介电强度，控制成膜质量。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，包括用于安置待测的第一层二氧化硅薄膜的安置结构以及用于测量待测的所述第一层二氧化硅薄膜的测量组件，所述安置结构包括基底、第一层金属电容板以及第二层金属电容板，待测的所述第一层二氧化硅薄膜设于所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板之间，所述第一层金属电容板设于所述基底上，所述测量组件的两个测量端分别连接在所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板上。

进一步，所述基底包括衬底以及生长于所述衬底上的绝缘层，所述第一层金属电容板置于所述绝缘层上。

进一步，所述绝缘层为第二层二氧化硅薄膜。

进一步，所述绝缘层的厚度在100～1000nm之间。

进一步，所述第一层金属电容板有多块且均为方形，所述基底为长条状，各所述第一层金属电容板均沿所述基底的长度方向布设，且彼此间隔布设。

进一步，所述第二层金属电容板有多块且均为圆形，所述第一层二氧化硅薄膜也有多个，各所述第二层金属电容板与各所述第一层金属电容板一一对应，各所述第一层金属电容板与各所述第一层二氧化硅薄膜一一对应，每一所述第一层二氧化硅薄膜设于与其对应的第一层金属电容板和与其对应的所述第二层金属电容板之间。

进一步，每一所述第一层二氧化硅薄膜具有通孔，所述测量组件的两个测量端通过所述通孔分别连接在所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板上。

进一步，各所述第二层金属电容板的尺寸依次增大。

进一步，所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板的厚度均在100～1000nm之间。

进一步，所述测量组件包括CV测试仪，所述CV测试仪的两根测试探针分别连接所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，通过安置结构来安置待测的第一层二氧化硅薄膜，然后通过测量组件来测量待测的第一层二氧化硅薄膜，可以测量二氧化硅薄膜的介电常数和介电强度，控制成膜质量。

附图说明