[实用新型]一种通过连接孔改善UIS的功率器件有效
| 申请号： | 201920955855.8 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN209843715U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张雨;陈虞平;胡兴正;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 32368 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 梁金娟 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种通过连接孔改善UIS的功率器件。该方法在介质层上侧进行孔涂胶及曝光处理，在第一混合气体下将源区上侧的介质层和栅氧化层刻蚀出第一连接孔；在第二混合气体下将第一连接孔下侧的源区和体区内刻蚀出第二连接孔；向第二连接孔下侧的体区内进行孔注入和退火操作，以形成月牙状的接触区。本实用新型通过将源区连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 连接孔 混合气体 接触区 刻蚀 源区 本实用新型 介质层 月牙状 混合气体形成 退火 寄生三极管 功率器件 基区电阻 曝光处理 椭圆形状 栅氧化层 保护膜 导通 减小 涂胶 扩散 制作 | ||
【主权项】：
1.一种通过连接孔改善UIS的功率器件，包括第一导电类型的衬底和外延层，所述外延层内上侧间隔设有若干沟槽，所述外延层上侧以及沟槽内侧长有栅氧化层，所述沟槽内侧的栅氧化层外侧沉积有多晶硅，对所述沟槽及其外侧的外延层内整体执行杂质注入和推阱形成第二导电类型轻掺杂的体区，所述体区经杂质注入和退火形成第一导电类型重掺杂的源区，所述栅氧化层上侧长有介质层，其特征在于，所述源区上侧栅氧化层和介质层刻蚀有第一连接孔，所述第一连接孔下侧的源区和体区刻蚀有第二连接孔，所述第二连接孔下侧的体区内经杂质注入和推阱形成有第二导电类型重掺杂的接触区，所述接触区呈月牙状，所述第二连接孔、第一连接孔和介质层的上侧沉积金属层，以形成源极。/n
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