[实用新型]整流二极管有效
| 申请号： | 201920930596.3 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN210296386U | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 何飞 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型所公开的一种整流二极管，包括N+衬底层、叠加在N+衬底层上的N‑漂移层和掺杂在N‑漂移层上的P型沟道层，P型沟道层上通过掺杂若干个N+电荷隔离存储层后在N+电荷隔离存储层下方形成电荷存储区。其通过在P型沟道层中掺杂N+电荷隔离存储层，来改善二极管的反向恢复特性，并且解决了在RCD吸收电路使用工作时温度上升较高，干扰其它电路运行的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 整流二极管 | ||
【主权项】：
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