[实用新型]一种容性耦合装置及含有该容性耦合装置的滤波器有效

专利信息
申请号: 201920758520.7 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN209730123U 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 刘文;朱晖;金锐 申请(专利权)人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
主分类号: H01P5/02 分类号: H01P5/02;H01P1/20
代理公司: 42104 武汉开元知识产权代理有限公司 代理人: 黄行军;高炳龙<国际申请>=<国际公布>
地址: 430020 湖北省武汉市江夏区光*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种容性耦合装置及含有该容性耦合装置的滤波器,其包括介质本体,介质本体的表面上设置有多个谐振频率调谐孔,介质本体和谐振频率调谐孔的表面上镀有第一导电层,相邻两个谐振频率调谐孔之间的介质本体表面上设置有负耦合槽,负耦合槽内设置有第二导电层,其特征在于:负耦合槽周围的介质本体表面上设置有用于绝缘第一导电层和第二导电层的绝缘层。本实用新型不仅实现了介质滤波器之间的容性耦合,提高了滤波器性能,降低滤波器的体积,而且无需对负耦合槽的加工深度和宽度进行进一步的限定,方便了容性耦合装置的加工和制造。
搜索关键词: 介质本体 耦合槽 滤波器 容性耦合装置 谐振频率调谐 本实用新型 第二导电层 第一导电层 绝缘层 介质滤波器 频率调谐 容性耦合 绝缘 加工 制造
【主权项】:
1.一种容性耦合装置,包括介质本体,所述介质本体的表面上设置有谐振频率调谐孔和负耦合槽,所述负耦合槽位于相邻两个谐振频率调谐孔之间,所述介质本体的表面和所述谐振频率调谐孔的内表面上镀有第一导电层,所述负耦合槽的内表面上镀有第二导电层,其特征在于:所述负耦合槽的槽口端面处设置有用于绝缘第一导电层和第二导电层的绝缘层。/n
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