[实用新型]一种容性耦合装置及含有该容性耦合装置的滤波器

说明书

本实用新型公开了一种容性耦合装置及含有该容性耦合装置的滤波器，其包括介质本体，介质本体的表面上设置有多个谐振频率调谐孔，介质本体和谐振频率调谐孔的表面上镀有第一导电层，相邻两个谐振频率调谐孔之间的介质本体表面上设置有负耦合槽，负耦合槽内设置有第二导电层，其特征在于：负耦合槽周围的介质本体表面上设置有用于绝缘第一导电层和第二导电层的绝缘层。本实用新型不仅实现了介质滤波器之间的容性耦合，提高了滤波器性能，降低滤波器的体积，而且无需对负耦合槽的加工深度和宽度进行进一步的限定，方便了容性耦合装置的加工和制造。

技术领域

本实用新型涉及一种容性耦合装置，属于通信技术领域，具体涉及一种容性耦合装置及含有该容性耦合装置的滤波器。

背景技术

在移动通信领域，随着技术的发展，对于系统内滤波器的性能要求越来越高。随着要求的提高，基站端大功率微波滤波器呈现出指标高，体积小，低成本的特征。在实现这些高性能滤波器的时候，受限于腔体尺寸，滤波器需要使用新的材料或技术实现。

受限于介质滤波器的材料特性，一般在设计滤波器时需要加入传输零点。而介质滤波器，在实现容性交叉耦合时，相较于金属滤波器更加困难。现有设计中，专利号2013106884073公开了三种可行的方案，其一为零腔设计实现容性交叉耦合的方案；其二为采用两个腔进行180度相位翻转实现容性交叉耦合的方案；其三为在介质耦合窗口上打孔(孔内不设置电磁屏蔽层)，螺杆深入孔中距离孔底约2mm以内，然后采用盖板或螺杆套方式固定，从而实现容性交叉耦合的方案。容性耦合装置对于方案一和方案二，每实现一个容性交叉耦合，就需要在水平方向多占用一个腔的空间；对于方案三，为了使极性翻转，需要增加螺杆套或盖板，也需要在垂直方向增加高度空间，从而不利于空间比较严苛的介质滤波器设计，为此需要对现有技术进行改进。

进一步的，专利号2018102471854公开了一种介质滤波器，其特征在于，包括至少两个介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，用于调试其所在的介质谐振器谐振频率；所述介质滤波器所包括的所有介质谐振器的本体构成所述介质滤波器的本体，所述介质滤波器还包括：至少一个负耦合孔，每个负耦合孔位于两个介质谐振器连接位置的本体表面，其所处的位置与所述两个介质谐振器相接，所述负耦合孔为盲孔，所述负耦合孔的深度大于其所处位置相接的两个介质谐振器的调试孔的深度，所述负耦合孔用于实现所述两个介质谐振器之间的电容耦合；和覆盖所述介质滤波器本体表面、调试孔表面和负耦合孔表面的导电层。该技术方案通过在介质本体上打盲孔的方式实现盲孔两侧的谐振器之间形成电容耦合，但是，该盲孔的深度要求会增加介质滤波器的制作工序，当大批量生产该设备时，无疑会消耗许多工时。

发明内容

本实用新型的目的在于提供本发明的目的就是为了解决上述背景技术存在的不足，提供一种结构简单、体积小、性能好的容性耦合装置及滤波器。

为解决上述技术问题，本实用新型采用了这样一种容性耦合装置，其包括介质本体，所述介质本体的表面上设置有谐振频率调谐孔和负耦合槽，所述负耦合槽位于相邻两个谐振频率调谐孔之间，所述介质本体的表面和所述谐振频率调谐孔的内表面上镀有第一导电层，所述负耦合槽的内表面上镀有第二导电层，所述负耦合槽的槽口端面处设置有用于绝缘第一导电层和第二导电层的绝缘层。

在本实用新型的一种优选实施方案中，所述介质本体的顶面设置有所述谐振频率调谐孔，所述介质本体的底面设置有所述负耦合槽。

在本实用新型的一种优选实施方案中，所述介质本体的顶面或底面设置有所述谐振频率调谐孔和所述负耦合槽。

在本实用新型的一种优选实施方案中，所述负耦合槽的槽壁面全部设置有第二导电层或者部分设置有第二导电层。

在本实用新型的一种优选实施方案中，所述负耦合槽的槽底面上全部设置有第二导电层或者部分设置有第二导电层。