[实用新型]一种容性耦合装置及含有该容性耦合装置的滤波器有效
申请号: | 201920758520.7 | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN209730123U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 刘文;朱晖;金锐 | 申请(专利权)人: | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01P5/02 | 分类号: | H01P5/02;H01P1/20 |
代理公司: | 42104 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄行军;高炳龙<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 430020 湖北省武汉市江夏区光*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质本体 耦合槽 滤波器 容性耦合装置 谐振频率调谐 本实用新型 第二导电层 第一导电层 绝缘层 介质滤波器 频率调谐 容性耦合 绝缘 加工 制造 | ||
1.一种容性耦合装置,包括介质本体,所述介质本体的表面上设置有谐振频率调谐孔和负耦合槽,所述负耦合槽位于相邻两个谐振频率调谐孔之间,所述介质本体的表面和所述谐振频率调谐孔的内表面上镀有第一导电层,所述负耦合槽的内表面上镀有第二导电层,其特征在于:所述负耦合槽的槽口端面处设置有用于绝缘第一导电层和第二导电层的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述介质本体的顶面设置有所述谐振频率调谐孔,所述介质本体的底面设置有所述负耦合槽。
3.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述介质本体的顶面或底面设置有所述谐振频率调谐孔和所述负耦合槽。
4.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述负耦合槽的槽壁面全部镀有第二导电层或者部分镀有第二导电层。
5.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述负耦合槽的槽底面上全部镀有第二导电层或者部分镀有第二导电层。
6.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述绝缘层为设置于负耦合槽的槽口端面处周向布置的封闭环形,所述封闭环形的形状包括椭圆环、圆环、方环或不规则环。
7.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述负耦合槽为设置于介质本体表面上的盲槽或者通槽或者盲孔或者通孔,盲槽或者通槽的形状为椭圆槽、方形槽、圆槽或多边槽,盲孔或者通孔的形状包括圆孔、方孔、多变孔。
8.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:所述负耦合槽的深度及宽度由所需耦合量来决定。
9.根据权利要求1所述的容性耦合装置,其特征在于:两个相邻的谐振频率调谐孔之间设置有用以形成感性耦合的介质耦合窗口。
10.一种介质滤波器,其特征在于:至少包含1个如权利要求1-9任意一项权利要求所述的容性耦合装置。
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