[实用新型]晶体管器件有效
| 申请号： | 201920622628.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN209766427U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 曾颀尧;纪秉夆;汪琼;邢琨;冷鑫钰;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 景怀宇;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶体管器件。该晶体管器件，仅在器件层对应衬底第二区域和第三区域的部分形成缝隙，并使源极和漏极沿所述缝隙延伸。该晶体管器件，可以增加源极和漏极与器件层之间的欧姆接触，减小源极和漏极与器件层之间的电阻，增加晶体管器件的工作效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管器件 器件层 漏极 源极 本实用新型 第二区域 缝隙延伸 工作效果 欧姆接触 衬底 电阻 减小 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括：/n衬底(110)，具有相对设置的第一表面(114)和第二表面(112)，所述第一表面(114)包括第一区域(1141)，以及分别与所述第一区域(1141)相邻的第二区域(1142)和第三区域(1143)；/n图形化层(120)，覆盖所述第一区域(1141)；/n缓冲层(130)，覆盖所述图形化层(120)和所述第二区域(1142)、第三区域(1143)，所述缓冲层(130)具有远离所述衬底(110)的平坦化表面(132)；/n器件层(140)，覆盖所述平坦化表面(132)，所述器件层(140)包括远离所述平坦化表面(132)的器件层表面(1401)；沿所述晶体管器件(10)的层叠方向的反方向，所述器件层(140)位于所述第二区域(1142)和第三区域(1143)的部分具有从所述器件层表面(1401)向所述衬底(110)延伸的缝隙(1402)；/n栅极(151)，覆盖所述器件层表面(1401)，且所述栅极(151)在所述第一表面(114)上的垂直投影位于所述第一区域(1141)内；/n源极(152)和漏极(153)，覆盖所述器件层表面(1401)，且所述源极(152)在所述第一表面(114)上的垂直投影位于所述第二区域(1142)内，所述漏极(153)在所述第一表面(114)上的垂直投影位于所述第三区域(1143)内，所述源极(152)和所述漏极(153)还沿所述缝隙(1402)延伸。/n
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