[实用新型]一种压阻式双轴运动传感器有效
| 申请号： | 201920483827.0 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN209721578U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 辛胜男;陈浩 | 申请（专利权）人： | 北京盛通恒瑞科贸有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01D5/16 |
| 代理公司： | 44470 广东君龙律师事务所 | 代理人： | 丁建春<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 101200 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种压阻式双轴运动传感器，该压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于第二单晶硅层靠近第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于第二单晶硅层上，且形成于第一刻蚀槽和第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于第二单晶硅层背离第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于第二单晶硅层和掺杂层上；焊接层，形成第二单晶硅层和掺杂层上，且形成于第二氧化硅层中；隔离槽，形成于第二刻蚀槽远离质量块的一侧；其中隔离槽与质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽同时形成。通过上述方式，能够降低封装引起的残余应力和温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅层 刻蚀槽 氧化硅层 掺杂层 质量块 双轴运动传感器 二氧化硅层 隔离槽 压阻式 残余应力 温度系数 焊接层 封装 背离 申请 | ||
【主权项】：
1.一种压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器包括：/nSOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层，其中所述第一氧化硅层设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间；/n第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于所述第二单晶硅层靠近所述第一氧化硅层的一侧；/n质量块，形成于所述第二单晶硅层上，且形成于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间；/n掺杂层，形成于所述第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；/n第二氧化硅层，形成于所述第二单晶硅层和所述掺杂层上；/n焊接层，形成所述第二单晶硅层和所述掺杂层上，且形成于所述第二氧化硅层中；/n隔离槽，形成于所述第二刻蚀槽远离所述质量块的一侧；其中所述隔离槽与所述质量块、所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽同时形成。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京盛通恒瑞科贸有限公司，未经北京盛通恒瑞科贸有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920483827.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
