[实用新型]一种压阻式双轴运动传感器

权利要求书

1.一种压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器包括：

SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层，其中所述第一氧化硅层设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间；

第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于所述第二单晶硅层靠近所述第一氧化硅层的一侧；

质量块，形成于所述第二单晶硅层上，且形成于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间；

掺杂层，形成于所述第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；

第二氧化硅层，形成于所述第二单晶硅层和所述掺杂层上；

焊接层，形成所述第二单晶硅层和所述掺杂层上，且形成于所述第二氧化硅层中；

隔离槽，形成于所述第二刻蚀槽远离所述质量块的一侧；其中所述隔离槽与所述质量块、所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽同时形成。

2.根据权利要求1所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器还包括第一悬臂梁和第二悬臂梁，形成于所述质量块的两侧，所述第一悬臂梁与所述第一刻蚀槽相匹配，所述第二悬臂梁与所述第二刻蚀槽相匹配；所述掺杂层还设置于所述第一悬臂梁远离所述质量块的一侧。

3.根据权利要求2所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，至少部分所述掺杂层形成于所述第一悬臂梁上；所述掺杂层包括重掺杂层和轻掺杂层，部分所述重掺杂层形成于所述轻掺杂层上。

4.根据权利要求3所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，部分所述焊接层形成于所述重掺杂层上。

5.根据权利要求1所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述压阻式双轴运动传感器还包括：

第一盖板，所述第一盖板键合封装于所述第一单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；

第二盖板，所述第二盖板键合封装于所述第二氧化硅层背离所述第二单晶硅层的一侧；所述焊接层进一步裸露于所述第二盖板的一端。

6.根据权利要求5所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述第一盖板包括第一键合部和第二键合部，所述第一键合部设置于所述第一刻蚀槽远离所述质量块的一端，所述第二键合部设置于所述隔离槽远离所述质量块的一端。

7.根据权利要求6所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述第二盖板包括第三键合部和第四键合部，所述第三键合部和所述第四键合部并排设置，所述第三键合部设置于所述焊接层靠近所述第一刻蚀槽的一侧，且与所述第一键合部相对设置；所述第四键合部与所述第二键合部相对设置。

8.根据权利要求7所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述第二盖板还包括焊接窗口，所述第三键合部设置于所述焊接窗口和所述第四键合部之间，所述第三键合部与所述焊接窗口相邻。

9.根据权利要求5所述的压阻式双轴运动传感器，其特征在于，所述第一盖板通过苯并环丁烯键合封装于所述第一单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；

所述第二盖板通过苯并环丁烯键合封装于所述第二氧化硅层背离所述第二单晶硅层的一侧。