[实用新型]一种压阻式双轴运动传感器

说明书

本申请提供一种压阻式双轴运动传感器，该压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于第二单晶硅层靠近第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于第二单晶硅层上，且形成于第一刻蚀槽和第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于第二单晶硅层背离第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于第二单晶硅层和掺杂层上；焊接层，形成第二单晶硅层和掺杂层上，且形成于第二氧化硅层中；隔离槽，形成于第二刻蚀槽远离质量块的一侧；其中隔离槽与质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽同时形成。通过上述方式，能够降低封装引起的残余应力和温度系数。

技术领域

本申请涉及微机电系统技术领域，具体涉及一种压阻式双轴运动传感器。

背景技术

微机电系统(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统是在微电子技术(半导体制造技术)基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。

微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。MEMS是一项革命性的新技术，广泛应用于高新技术产业，是一项关系到国家的科技发展、经济繁荣和国防安全的关键技术。

本申请的发明人在长期研发中发现，现有的传感器器件所占平面面积大，单个晶元上所能制造的总芯片数少，导致成本高；器件的设计，使得器件本身受封装的影响极大，从而残余应力大，温度系数高；现有案例的工艺制造方式，使得其在工艺实现上，较为复杂，良率低，周期长。

发明内容

本申请提供一种压阻式双轴运动传感器，以解决现有技术中由于封装引起的残余应力大，温度系数高的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种压阻式双轴运动传感器，其中，该压阻式双轴运动传感器包括：SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层，所述第一氧化硅层设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于所述第二单晶硅层靠近所述第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于所述第二单晶硅层上，且形成于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于所述第二单晶硅层背离所述第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于所述第二单晶硅层和所述掺杂层上；焊接层，形成所述第二单晶硅层和所述掺杂层上，且形成于所述第二氧化硅层中；隔离槽，形成于所述第二刻蚀槽远离所述质量块的一侧；其中所述隔离槽与所述质量块、所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽同时形成。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请提供一种压阻式双轴运动传感器，该压阻式双轴运动传感器包括SOI硅片，包括第一单晶硅层、第一氧化硅层和第二单晶硅层；第一刻蚀槽和第二刻蚀槽，形成于第二单晶硅层靠近第一氧化硅层的一侧；质量块，形成于第二单晶硅层上，且形成于第一刻蚀槽和第二刻蚀槽之间；掺杂层，形成于第二单晶硅层背离第一氧化硅层的一侧；第二氧化硅层，形成于第二单晶硅层和掺杂层上；焊接层，形成第二单晶硅层和掺杂层上，且形成于第二氧化硅层中；隔离槽，形成于第二刻蚀槽远离质量块的一侧；其中隔离槽与质量块、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽同时形成。通过制作质量块的同时制作隔离槽，实现隔离设计，解决了现有技术中封装引起的残余应力大，温度系数高的问题。

附图说明

为了更清楚地说明申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的情况下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请一种压阻式双轴运动传感器一实施例的截面结构示意图；

图2是图1所示一种压阻式双轴运动传感器一实施例的结构示意图；