[实用新型]一种高温加热块装置有效
| 申请号： | 201920371993.1 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN210575837U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 焦小昆 | 申请（专利权）人： | 天津市沪津机电设备工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙) 11684 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 300000 天津市南开区密*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高温加热块装置，涉及半导体引线键合技术领域，括加热块。加热块上设有固定装置，固定装置包括电磁铁、弹性件、固定件、压力传感器、以及微处理器，电磁铁与加热块固定连接，固定件设于电磁铁上方且通过弹性件固定连接，固定件包括支撑部和固定部，压力传感器设置在固定部的下表面，压力传感器与微处理器电连接，电磁铁连接有调整通过其电流大小的控制装置。有益效果为：通过调整控制装置来调大通过电磁铁的电流，电磁铁吸引固定件，固定件的固定部将框架固定在加热快上。根据压力传感器传输给微处理器的数据来调整通过电磁铁的电流，控制框架各部分与加热块的接触程度一致，框架各部分受热均匀，半导体引线键合质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 加热 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
