[实用新型]晶片托盘结构有效
| 申请号： | 201920294014.7 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN209675259U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 钟明周 | 申请（专利权）人： | 钟明周 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 32260 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王闯<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶片托盘结构，其包括一盖体及一晶片托盘。该晶片托盘具有复数呈矩阵排列的容槽透孔、复数连通各容槽透孔且交错配置的导液流道、复数对应各导液流道交错处设置的流道透孔以及复数由各容槽透孔孔壁及各导液流道(局部)共同界定的晶片容槽。该盖体，选择性迭设于晶片托盘顶端。藉由上述构件的组成，提供晶片容置方便清洗工艺的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 复数 容槽 透孔 导液流道 晶片托盘 盖体 晶片 本实用新型 方便清洗 交错配置 矩阵排列 托盘结构 交错处 界定 孔壁 流道 容置 种晶 连通 | ||
【主权项】：
1.一种晶片托盘结构，其特征在于，包括:/n一晶片托盘，具有一体形成的复数容槽透孔、复数导液流道、复数流道透孔、及复数晶片容槽；/n各该容槽透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，并呈矩阵排列；/n各该导液流道，是交叉凹陷形成于该晶片托盘顶端面，且与各该容槽透孔连通；/n各该流道透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，且位于各该导液流道交错处；/n各该晶片容槽，是由各该容槽透孔局部孔壁及与各该容槽透孔连通的各该导液流道未端所共同界定；/n一盖体，是选择性迭设于该晶片托盘顶端面，具有一栅栏区。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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