[实用新型]晶片托盘结构

说明书

本实用新型涉及一种晶片托盘结构，其包括一盖体及一晶片托盘。该晶片托盘具有复数呈矩阵排列的容槽透孔、复数连通各容槽透孔且交错配置的导液流道、复数对应各导液流道交错处设置的流道透孔以及复数由各容槽透孔孔壁及各导液流道(局部)共同界定的晶片容槽。该盖体，选择性迭设于晶片托盘顶端。藉由上述构件的组成，提供晶片容置方便清洗工艺的进行。

技术领域

本实用新型有关于晶片清洗设备相关的技术领域，特别是指一种晶片托盘结构。

背景技术

集成电路组件的制程中，最频繁的制程步骤就是晶片清洗。晶片(Wafer)洗净的目的乃是为了除去附着于晶片表面上的有机化合物、金属杂质或微粒。而这些污染物会对于产品后续制程的影响非常大。金属杂质的污染会造成p－n接面的漏电、缩减少数载子的生命期、降低闸极氧化层的崩溃电压。微粒的附着则会影响微影制程图案转移的真实性，甚至造成电路结构的短路。因此，在晶片清洗制程中，必须有效的去除附着于晶片表面的有机化合物、金属杂质以及微粒，同时在清洗后晶片表面必须没有原生氧化层，表面粗糙度要极小。

为便于清洗曾有业者提出方便收纳与清洗的「可直接清洗晶片的晶片收纳盘」，公开号M307002的中国台湾专利作为教示。虽说前案可方便清洗剂流动及晶片的放置，但仍存有其缺失:

1.加工复杂:前案的晶片收纳空间是通过矩阵排列的容槽所达成，而各容槽则是通过阶级层凹陷的槽壁来界定，导致制备该收纳盘的加工过程十分复杂。

2.晶片遮蔽区过大:晶片被放置于容槽的阶级层槽壁上，故晶片四边朝下的抵接端面都会被容槽的阶级层所遮蔽，导致清洗的死角。

3.流道过长:虽说前案各容槽之间设有相互流通的导液流道，但越是位于晶片收纳盘中的容槽，其清洗剂欲流至晶片收纳盘外侧的路径越长,导到带有杂质的清洗剂会在运动的过程中污染到其它晶片。

实用新型内容

有鉴于上述习知技艺的问题与缺失，本创作的一目的，即通过结构的创新提供一种晶片托盘结构，以克服习知前案的缺失。

为达成上述目的，本创作提出一种晶片托盘结构，包括:

一晶片托盘，具有一体形成的复数容槽透孔、复数导液流道、复数流道透孔、及复数晶片容槽；

各该容槽透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，并呈矩阵排列；

各该导液流道，是交叉凹陷形成于该晶片托盘顶端面，且与各该容槽透孔连通；

各该流道透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，且位于各该导液流道交错处；

各该晶片容槽，是由各该容槽透孔局部孔壁及与各该容槽透孔连通的各该导液流道未端所共同界定；

一盖体，是选择性迭设于该晶片托盘顶端面，具有一栅栏区。

进一步的，该晶片托盘具有至少一连通两毗邻各该容槽透孔的长槽孔。

进一步的，该栅栏区由复数栏孔及复数栏杆所界定。

进一步的，该晶片托盘包含复数分设于该晶片托盘顶端面默认位置的定位凸柱。

进一步的，该盖体匹配各该定位凸柱具有复数定位透孔。

藉由上述构件的组成，提供晶片容置方便清洗工艺的进行。

附图说明

图1是本创作实施例立体示意图。

图2是图1所示实施例分解示意图。

图3是图2所示实施例局部示意图(一)。

图4是图2所示实施例局部示意图(二)。

图5是本创作实施例剖面示意图。