[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一主表面和第二主表面的半导体材料区域。沟槽结构包括从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中的沟槽，其中所述第一主表面限定剖视图中的第一水平平面。沟槽结构还包括设置在沟槽内并通过电介质区域与半导体材料区域分离的导电材料。肖特基接触区域邻近第一主表面设置在沟槽结构的相对侧上，所述肖特基接触区域具有位于剖视图中的第二水平平面上的上表面。电介质区域包括最上表面，并且被构造为使得最上表面的主要部分设置在剖视图中的第一水平平面上方。所述结构和方法提供了具有改善性能(例如，减少的泄漏和更稳定的击穿电压)和改善可靠性的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体材料区域，所述半导体材料区域具有相对的第一主表面和第二主表面；沟槽结构，所述沟槽结构包括：沟槽，所述沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中，其中所述第一主表面限定剖视图中的第一水平平面；和导电材料，所述导电材料设置在所述沟槽内并通过电介质区域与所述半导体材料区域分离；以及肖特基接触区域，所述肖特基接触区域邻近所述第一主表面设置在所述沟槽结构的相对侧上，所述肖特基接触区域具有位于所述剖视图中的第二水平平面上的上表面，其中：所述电介质区域沿所述沟槽的相对侧壁表面设置，并且沿所述沟槽的下表面设置；所述电介质区域包括第一最上表面；并且所述第一最上表面设置在所述剖视图中的所述第一水平平面上方。