[发明专利]一种用于碱抛的掩盖膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种用于碱抛的掩盖膜及其制备方法，所述掩盖膜位于电池片的表面，其包括以任意顺序相互覆盖排列的碳化硅层、氧化铝层和氧化硅层；本发明所述掩盖膜中包含碳化硅层、氧化铝层和氧化硅层，其中碳化硅和氧化硅层里面具有丰富的氢离子，其游离到电池片的表面及电池片体内，具有钝化电池片的作用，从而有利于提升电池片的转换效率，而碳化硅层和氧化铝层具有致密特性，能有效抵御后续工艺中碱液的腐蚀；且本发明所述掩盖膜的制备迅速，所需温度低且能通过肉眼判断是否生成掩盖膜及掩盖膜的厚度。