[发明专利]芯片表面连接方法、系统及功率模块系统在审
申请号: | 201911418639.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111106023A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 朱贤龙;闫鹏修;刘军 | 申请(专利权)人: | 广东芯聚能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L23/488 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄丽 |
地址: | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种芯片表面连接方法、系统及功率模块系统,压合第一连接件与第二连接件,并加热第一连接件与第二连接件间的第一金属烧结剂,以使第一连接件与第二连接件间形成第一金属烧结连接层。基于此,在第一连接件和第二连接件间形成稳定连接层,有利于提高载流能力和导热率,同时,可通过选用熔点高于锡的熔点的第一金属颗粒,提高芯片的限制工作温度值。 | ||
搜索关键词: | 芯片 表面 连接 方法 系统 功率 模块 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造