[发明专利]红外传感器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911416797.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111115558A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 孙伟;闻永祥;刘琛;逯永建 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L31/101;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种红外传感器件及其制造方法，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层与第二氮化硅层之间的氧化硅层。该红外传感器件通过氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构制作出了粘附性高、抗腐蚀能力强、重复性好、热导性高的红外吸收膜层。与现有技术相比，制造本发明的红外传感器件时不需要另外再购置设备以及采购IC标准工艺中不涉及的镍黑、镍铬等特种材料，降低产线成本。同时氮化硅、氧化硅和氮化硅复合膜层结构及其制造方法成本低、无污染、可作为量产工艺手段。 | ||
| 搜索关键词： | 红外传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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