[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导体；贯穿栅叠层结构的多个沟道柱，沟道柱包括位于沟道柱侧壁的功能层以及沟道层；硅槽，通过去除沟道柱底部的功能层形成；外延层，位于硅槽内；硅槽两侧的表面屏幕在栅叠层结构中最下面的两层栅极导体的表面平面之间；部分沟道层位于硅槽内。本发明实施例中去除沟道孔底部的功能层形成硅槽，在硅槽内形成外延层；功能层由于没有拐角，仅位于沟道孔的侧壁上，提高电荷存储层的电荷束缚能力，避免电荷存储层上的电荷泄漏到沟道层中，从而提高3D存储器的底部选择栅极的阈值电压的稳定性。