[发明专利]集成电流检测结构的IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 201911410158.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130639A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 黄宝伟;肖秀光;吴海平;陈刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/66;H01L23/544;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 姚章国 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种集成电流检测结构的IGBT器件及制备方法，包括漂移层和设置在漂移层上表面的正面结构和设置在漂移层下表面的背面结构；漂移层内设有多对P柱和N柱，多对P柱和N柱形成在电流检测区的元胞下方，每对P柱与N柱紧靠设置。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在电流检测区元胞下方形成P柱和N柱，P柱和N柱区域可以形成超级结，而超级结的阻断特性能很好的隔绝邻近元胞施加的影响，尤其是阻止邻近元胞空穴电流的干扰，通过设置P柱和N柱形成超级结使得电流检测区与工作区的电流比例基本不随电流的变化而变化，从而可以通过电流检测区计算出高精度的工作区电流，进而能够对应用系统进行很好的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电流 检测 结构 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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