[发明专利]一种银镜大功率倒装芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201911402432.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129244B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张洪安;易翰翔;李玉珠;武杰;陈慧秋 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银镜大功率倒装芯片及其制备方法。本申请银镜大功率倒装芯片中，采用点阵的N孔电流注入形式，较普通的N‑Finger注入形式，减少了因N电流注入设计而损失的发光区面积；先在外延层结构上生长ITO薄膜，进行一道光刻后，再对ITO做湿法蚀刻(充分过刻蚀)，然后在此条件下直接刻蚀出N型台阶，有效的将两道工艺合并成一道光刻流程，而且刻蚀后的ITO薄膜到N‑GaN台阶的间距更均值，避免了不同光刻之间的曝光偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 银镜 大功率 倒装 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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