[发明专利]一种银镜大功率倒装芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201911402432.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129244B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张洪安;易翰翔;李玉珠;武杰;陈慧秋 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 银镜 大功率 倒装 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种银镜大功率倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N-GaN层、发光量子阱和P-GaN层，完成GaN基LED外延层的制作；
(2)在步骤(1)所得外延层结构上生长ITO薄膜、对ITO薄膜进行光刻后，再对ITO做湿法蚀刻，充分过刻蚀，然后在此条件下使用干法刻蚀的方法刻蚀出N型台阶，使N-GaN外层裸露出来；
(3)在P-GaN层表面生长Ag金属反射层；
(4)在步骤(3)所得Ag金属反射层上生长SiO2保护层，在SiO2保护层上，分别对应在Ag金属反射层以及N-GaN层刻蚀出P、N导电孔；
(5)在步骤(4)所得Ag金属反射层外部的SiO2保护层上，蒸镀上电流扩展金属层，使得N导电孔分别相连；
(6)在步骤(5)所得结构基础上，沉积一层SiO2钝化层，再根据P、N电流扩展金属层的形貌，在芯片左右两边刻蚀出钝化层导电通道；
(7)在芯片表面蒸镀上P、N电极层；
所述步骤(3)中，在步骤(2)所得结构的基础上生长一层SiO2，做一道光刻后进行湿法刻蚀，刻蚀掉不需要的SiO2，裸露出P-GaN层，然后在P-GaN层表面生长Ag金属反射层；所述SiO2的厚度为
所述步骤(2)中，所述ITO薄膜的厚度为
2.如权利要求1所述的银镜大功率倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述Ag金属反射层的厚度为
3.如权利要求1所述的银镜大功率倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(7)中，所述P、N电极层的材料为AuSn合金材料。
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