[发明专利]一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统及方法在审
| 申请号： | 201911399977.4 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111370302A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张逸凡;任坚强;王英杰;王晓军;任小伟;赵壮;李文龙;金杭 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18;C30B31/16 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统及方法。为了克服现有技术压力计设置在源瓶出气口，被三氯氧磷腐蚀，造成使用寿命短的问题；本发明采用的系统包括源瓶和炉管，源瓶中连接有两根管道，一根管道连接炉管，炉管通向被制备的硅片，在源瓶与炉管之间的管道上设置有出气阀；源瓶的另一根管道连接有进气阀，进气阀的另一端通过管道连接有第一流量计；第一流量计的另一端为小氮进气口，在第一流量计与进气阀之间的管道中设置有源瓶压力计；源瓶的两根管道相互连接，在两根管道的连接管道上设置有衡压阀。源瓶压力计设置在源瓶进气口前，避免了源瓶压力计受三氯氧磷的腐蚀，延长了源瓶压力计的使用寿命，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 低压 扩散 炉源瓶 压力计 使用寿命 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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