[发明专利]一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统及方法在审
| 申请号: | 201911399977.4 | 申请日: | 2019-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN111370302A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 张逸凡;任坚强;王英杰;王晓军;任小伟;赵壮;李文龙;金杭 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L31/18;C30B31/16 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
| 地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 增加 低压 扩散 炉源瓶 压力计 使用寿命 系统 方法 | ||
1.一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统,包括源瓶(1)和炉管(12),所述源瓶(1)中连接有两根管道,一根管道连接炉管(12),炉管(12)通向被制备的硅片,在源瓶(1)与炉管(12)之间的管道上设置有出气阀(4);其特征在于,所述源瓶(1)的另一根管道连接有进气阀(3),所述的进气阀(3)的另一端通过管道连接有第一流量计(7);所述的第一流量计(7)的另一端为小氮进气口,在第一流量计(7)与进气阀(3)之间的管道中设置有源瓶压力计(2);源瓶(1)的两根管道相互连接,在所述的两根管道的连接管道上设置有衡压阀(5)。
2.根据权利要求1所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统,其特征在于,所述的系统还包括清洗阀(6),所述的清洗阀(6)的一端连接炉管(12);清洗阀(6)的另一端连接到进气阀(3)与源瓶压力计(2)连接管道上。
3.根据权利要求1或2所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统,其特征在于,所述的系统还包括小氧进气回路和大氮进气回路;所述的小氧进气回路和大氮进气回路均与炉管(12)相连接;小氧进气回路包括第二流量计(8)和小氧阀(10),第二流量计(8)的一端为氧气进气端,第二流量计(8)的另一端连接小氧阀(10)的一端,小氧阀(10)的另一端来连接炉管(12);大氮进气回路包括第三流量计(9)和大氮阀(11),第三流量计(9)的一端为氮气进气端,第三流量计(9)的另一端连接大氮阀(11)的一端,大氮阀(11)的另一端来连接炉管(12)。
4.根据权利要求3所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统,其特征在于, 所述的系统还包括进气压力计(13),所述的进气压力计(13)设置在第一流量计(7)的小氮进气口的管道上。
5.根据权利要求3所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统,其特征在于,所述的进气阀(3)、出气阀(4)、衡压阀(5)、清洗阀(6)、小氧阀(10)和大氮阀(11)均为气动阀;在出气阀(4)与炉管(12)之间的管道上设置有第一手动阀;在小氧阀(10)与炉管(12)之间的管道上设置有第二手动阀;在大氮阀(11)与炉管(12)之间的管道上设置有第三手动阀。
6.一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的方法,采用权利要求1~5任意一项中的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的系统,包括以下步骤:
S1:在通源之前向硅片进行一端时间的预氧化工序,在硅片表面形成一层氧化硅介质;在预氧化之后进行一段时间的源瓶降压工序,使得源瓶压力稳定;
S2:打开进气阀(3)和出气阀(4),关闭衡压阀(5)和清洗阀(6)进行通源操作;在硅片上进行一次沉积、二次沉积、升温推进、恒温推进、降温和降温沉积工序之后完成通源操作;
S3:同时进行一段时间的源瓶回压和降温氧化。
7.根据权利要求6所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的方法,其特征在于,所述的步骤S1包括以下步骤:
S11:预氧化,打开小氧阀(10)和大氮阀(11),从小氧阀(10)中通的500~1000sccm的氧气,从大氮阀(11)中通500~2000sccm的氮气;与氧化的时间为180~480s;
S12:源瓶降压,打开进气阀(3)和出气阀(4),关闭衡压阀(5)和清洗阀(6),从进气阀(3)向源瓶(1)通60~100sccm的氮气,同时从小氧阀(10)中通的500~1000sccm的氧气,从大氮阀(11)中通500~2000sccm的氮气;源瓶降压时间至多120s。
8.根据权利要求6所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的方法,其特征在于,所述的步骤S3包括以下步骤:
S3a:源瓶回压,打开进气阀(3),关闭出气阀(4),向源瓶(1)中通60~100sccm的氮气,直到源瓶气压回到常压,停止向源瓶中(1)通氮气,同时关闭进气阀(3);
S3b:降温氧化,从小氧阀(10)中通的500~1500sccm的氧气,从大氮阀(11)中通1000~2500sccm的氮气。
9.根据权利要求8所述的一种增加低压扩散炉源瓶压力计使用寿命的方法,其特征在于,所述的方法还包括:
在不进行通源时,平衡源瓶(1)的两根管道之间的气压,关闭进气阀(3)、出气阀(4)和清洗阀(6)并打开衡压阀(5);
在不进行通源时,使用氮气对源瓶压力计(2)进行清洗,打开清洗阀(6),关闭进气阀(3)、出气阀(4)和衡压阀(5),氮气流经源瓶压力计(2)通过清洗阀到炉管(12)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横店集团东磁股份有限公司,未经横店集团东磁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911399977.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





