[发明专利]一种基于物理气相沉积的P型与N型有机半导体共晶材料及制备方法在审

专利信息
申请号: 201911393227.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111087404A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 王海;邹涛隅;聂陟枫;段良飞;何云飞;宋玉敏;郭婷婷;常佳伟;陈秋园 申请(专利权)人: 昆明学院
主分类号: C07D487/22 分类号: C07D487/22;H01L51/00
代理公司: 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 代理人: 姜开侠;姜开远
地址: 650214 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法,获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料,发明还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。本发明还公开一种F16CuPc与CuPc共晶材料,其X‑射线衍射谱在衍射角度2θ为6.5±0.1º、8.6±0.1º、14.1±0.1º、24.5±0.1º、26.5±0.1º、27.6±0.1º处具有特征峰;本发明还公开了F16CuPc与CuPc共晶材料的制备方法,本发明提供了一种具有特定结构的F16CuPc和CuPc混合的共晶材料,其物理和化学性质良好,能更好地应用于有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池、量子计算等领域中;本发明提供的制备方法不需要真空或加压操作,操作简便、效率高,共晶在除生长区域的其它区域几乎不生长。
搜索关键词: 一种 基于 物理 沉积 有机半导体 材料 制备 方法
【主权项】:
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