[发明专利]电阻式存储器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201911390437.X | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130737B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黄清俊;邓允斌;欧阳锦坚;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电阻式存储器结构及其制作方法，其中该电阻式存储器结构包含一基底，一电阻式存储器埋入基底，其中电阻式存储器包含一下电极、一金属氧化物层和一上电极，一第一掺杂区埋入基底并且围绕下电极，一晶体管设置于电阻式存储器的一侧，其中晶体管包含一栅极结构位于基底上，一源极位于栅极结构的一侧并且埋入基底，一漏极位于栅极结构的另一侧并且埋入基底，其中第一掺杂区和漏极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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