[发明专利]电阻式存储器结构及其制作方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器结构，包含：

基底；

电阻式存储器，埋入该基底，其中该电阻式存储器包含下电极、金属氧化物层和上电极；

金属硅化物层，接触并且围绕该电阻式存储器；

第一掺杂区，埋入该基底并且围绕该下电极；以及

晶体管，设置于该基底上并且位于该电阻式存储器的一侧，其中该晶体管包含：

栅极结构，位于该基底上；

源极，设置于该基底中并且位于该栅极结构的一侧；以及

漏极，设置于该基底中并且位于该栅极结构的另一侧，其中该第一掺杂区接触该漏极。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该金属氧化物层围绕该上电极，该下电极围绕该金属氧化物层。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器结构，其中该金属氧化物层具有第一凹入形状，该下电极具有第二凹入形状，该第一凹入形状的开口朝向该基底的上表面，该第二凹入形状的开口朝向该基底的该上表面。

4.如权利要求3所述的电阻式存储器结构，其中该上电极的上表面和该基底的该上表面切齐，该第一凹入形状的两末端和该基底的该上表面切齐，该第二凹入形状的两末端和该基底的该上表面切齐。

5.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该源极和该漏极各自包含第二掺杂区，埋入该基底。

6.如权利要求5所述的电阻式存储器结构，其中该源极和该漏极各自包含含硅外延层，埋入该基底。

7.如权利要求5所述的电阻式存储器结构，其中该第一掺杂区和该第二掺杂区都包含N型掺质。

8.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该漏极的上表面没有和任何金属硅化物层接触。

9.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中金属硅化物层设置于该源极的上表面上并且接触该源极的该上表面。

10.一种电阻式存储器结构的制作方法，包含：

提供基底；

形成凹槽于该基底中；

注入掺质于该凹槽的底部形成第一掺杂区；

依序形成下电极、金属氧化物层和上电极填入该凹槽并且覆盖该基底的上表面；

进行平坦化制作工艺，以去除在该凹槽之外的该下电极、该金属氧化物层和该上电极，其中余留在该凹槽之内的该下电极、该金属氧化物层和该上电极构成电阻式存储器；以及

在该平坦化制作工艺之后，形成晶体管设置于该基底上并且位于该电阻式存储器的一侧。

11.如权利要求10所述的电阻式存储器结构的制作方法，其中形成该晶体管的步骤包含：

形成栅极结构位于该基底上；以及

形成源极埋入该基底和漏极埋入该基底，其中该源极设置于该栅极结构的一侧，该漏极设置于该栅极结构的另一侧，且该漏极接触该第一掺杂区。

12.如权利要求11所述的电阻式存储器结构的制作方法，其中形成该源极和该漏极的步骤包含：

在该栅极结构的两侧各自形成第二掺杂区。

13.如权利要求11所述的电阻式存储器结构的制作方法，另包含：

形成掩模覆盖该漏极；以及

进行硅化物制作工艺，以在该源极上形成金属硅化物层，其中在进行该硅化物制作工艺时该漏极被该掩模覆盖。

14.如权利要求11所述的一种电阻式存储器结构的制作方法，另包含：

在形成该晶体管之后，形成层间介电覆盖该晶体管和该电阻式存储器；

形成第一插塞、第二插塞和第三插塞穿透该层间介电，其中该第一插塞电连接至该源极，该第二插塞接触该栅极结构，且该第三插塞接触该电阻式存储器的该上电极；以及

形成源极线、字符线和位线，其中该源极线接触该第一插塞，该字符线接触该第二插塞，且该位线接触该第三插塞。